Pat
J-GLOBAL ID:200903060832795591

ファイバ・レーザおよびファイバ増幅器用の希土類がドープされ有効区域が大きい光ファイバ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (7): 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007207657
Publication number (International publication number):2008078629
Application date: Aug. 09, 2007
Publication date: Apr. 03, 2008
Summary:
【課題】大口径コアおよび/または高いドーピングを可能にするガラスを提供すること。【解決手段】本明細書に記載の様々な実施形態には、コア・サイズの大きい光ファイバおよびロッドで使用されてもよい、希土類がドープされたガラス組成物が含まれる。このような光ファイバおよびロッドは、ファイバ・レーザおよびファイバ増幅器で使用されてもよい。ガラスの屈折率は、実質上均一でもよく、実施形態によってはシリカの屈折率に近くてもよい。これらの特徴に対する実現可能な利点には、コア内での追加導波路の形成を低減させることが含まれ、コア・サイズが大きくなるにつれて、ますます問題になる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
屈折率を有するシリカと、 前記シリカ中の少なくとも約10モル%のリンと、 前記シリカ中の少なくとも約10モル%のホウ素と、 前記シリカ中で少なくとも約1000モルppmの濃度を有する、前記シリカ中の希土類イオンとを含み、 前記リン、前記ホウ素、および前記希土類イオンをその中に有する前記シリカは、屈折率が前記シリカの屈折率の約±0.003以内である、ドープされたガラス。
IPC (2):
H01S 3/06 ,  H01S 3/10
FI (2):
H01S3/06 B ,  H01S3/10 Z
F-Term (4):
5F172AF06 ,  5F172AM08 ,  5F172BB21 ,  5F172BB30
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
  • 米国特許仮出願第60/846,012号
  • 米国特許第5,818,630号
  • 米国特許出願第10/844,943号
Show all
Cited by examiner (5)
  • ファイバレーザ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-221426   Applicant:ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
  • フォトニッククリスタルファイバ及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-240729   Applicant:三菱電線工業株式会社, 日本電信電話株式会社
  • 光デバイス
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-349993   Applicant:アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
Show all

Return to Previous Page