Pat

J-GLOBAL ID：200903060834837615

III族窒化物半導体基板およびその製造方法

Inventor： 碓井 彰 ,  柴田 真佐知 ,  大島 祐一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社 ,  日立電線株式会社
Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002064345
Publication number (International publication number)：2003178984
Application date： Mar. 08, 2002
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】 欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。【解決手段】 サファイアC面((0001)面)基板1上にGaN層2を形成した後、その上にチタン膜3を形成する。次いで水素ガスまたは水素含有化合物ガスを含む雰囲気中で基板を熱処理してGaN層2中に空隙を形成する。その後、GaN層2上にGaN層4を形成する。

Claim (excerpt)：

基材上に第一のIII族窒化物半導体層が設けられた下地基板または第一のIII族窒化物半導体層からなる下地基板を熱処理することにより、前記第一のIII族窒化物半導体層中に空隙を形成する工程と、前記第一のIII族窒化物半導体層の上部に第二のIII族窒化物半導体層を形成する工程と、を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。

F-Term (15)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA61 ,  5F045HA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 窒素化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-030669   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-240385   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-368752   Applicant：豊田合成株式会社
• 金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-077140   Applicant：静岡大学長
• GaN系半導体基材およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-057909   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 結晶膜、結晶基板および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-010708   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-151139   Applicant：日本電気株式会社, 日立電線株式会社

Cited by examiner (1)

• 窒素化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-030669   Applicant：シャープ株式会社