III族窒化物半導体基板およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002064345
Publication number (International publication number)：2003178984
Application date： Mar. 08, 2002
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。【解決手段】サファイアC面((0001)面)基板1上にGaN層2を形成した後、その上にチタン膜3を形成する。次いで水素ガスまたは水素含有化合物ガスを含む雰囲気中で基板を熱処理してGaN層2中に空隙を形成する。その後、GaN層2上にGaN層4を形成する。

Claim (excerpt)：

基材上に第一のIII族窒化物半導体層が設けられた下地基板または第一のIII族窒化物半導体層からなる下地基板を熱処理することにより、前記第一のIII族窒化物半導体層中に空隙を形成する工程と、前記第一のIII族窒化物半導体層の上部に第二のIII族窒化物半導体層を形成する工程と、を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。

F-Term (15)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB40 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AF09 , 5F045BB11 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA61 , 5F045HA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

窒素化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-030669 Applicant：シャープ株式会社

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