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J-GLOBAL ID：200903038676433549

窒素化合物半導体の製造方法

Inventor：
湯浅 貴之

About 湯浅 貴之


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999030669
Publication number (International publication number)：2000228539
Application date： Feb. 08, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：
【要約】【課題】 基板と成長を行った窒素化合物半導体の間のアモルファス状窒素化合物半導体層に空孔を設けることにより、窒素化合物半導体の欠陥密度を低減する。【解決手段】 基板上に窒素化合物半導体を形成する方法である。窒素化合物半導体のエピタキシャル成長が行われる温度よりも低い温度で、基板上にアモルファス状の窒素化合物半導体層を形成する工程、その後昇温し、窒素化合物半導体のエピタキシャル成長を行う工程、及び窒素化合物半導体を成長後、降温することにより、基板と成長を行った窒素化合物半導体の間のアモルファス状窒素化合物半導体層に空孔を設ける工程、を包含する。
Claim (excerpt)：
基板上に窒素化合物半導体を形成する方法であって、窒素化合物半導体のエピタキシャル成長が行われる温度よりも低い温度で、基板上にアモルファス状の窒素化合物半導体層を形成する工程、その後昇温し、窒素化合物半導体のエピタキシャル成長を行う工程、及び該窒素化合物半導体を成長後、降温することにより、基板とエピタキシャル成長を行った窒素化合物半導体の間のアモルファス状の窒素化合物半導体層に空孔を設ける工程、を包含する窒素化合物半導体の製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
F-Term (33)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ04 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045EC02 ,  5F045EE12 ,  5F045EJ04 ,  5F045EK27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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