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J-GLOBAL ID：200903060839571435

薄膜トランジスタ

Inventor：
西村 尚

About 西村 尚


Applicant, Patent owner：
株式会社アドバンスト・ディスプレイ

About 株式会社アドバンスト・ディスプレイ


Agent (1)： 大岩 増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997064917
Publication number (International publication number)：1998260429
Application date： Mar. 18, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】 従来の薄膜トランジスタは、写真製版工程でのマスク合わせのガラス基板面内バラツキ、成膜時の基板内膜厚バラツキなどによって、各画素のTFT特性にバラツキが生じる。【解決手段】 ゲート配線1に接続されたゲート電極1aと、ゲート配線1と交差するソース配線2に接続されたソース電極2aと、このソース電極2aと少なくとも一部が対向して配置されたドレイン電極3aと、ゲート電極1aとドレイン電極3aとによって形成された第一の重なり部と、この第一の重なり部の増減を吸収するようにゲート電極3aと平行に設けられたゲート配線1の突出部とドレイン配線3によって形成された第二の重なり部を備え、製造工程における配置のずれが生じても第一の重なり部の面積と第二の重なり部の面積の和が一定になるようにしたものである。
Claim (excerpt)：
第一の配線に接続された第一の電極、上記第一の配線と交差する第二の配線に接続された第二の電極、この第二の電極と少なくとも一部が対向して配置された第三の電極、上記第一の電極と第三の電極とによって形成された第一の重なり部、上記第一の配線と第三の電極によって形成された第二の重なり部を備え、製造工程における配置のずれが生じても上記第一の重なり部の面積と第二の重なり部の面積の和が一定になることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 627 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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