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J-GLOBAL ID：200903060862850724

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor： 坂元 秀光
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005179412
Publication number (International publication number)：2006347852
Application date： Jun. 20, 2005
Publication date： Dec. 28, 2006
Summary：

【課題】 結晶多形の変態を制御し、所望の4H-炭化珪素単結晶を得ることができる方法を提供する。【解決手段】 SiとCを含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、 a)前記種結晶基板を前記融液表面と接触させて単結晶を成長させた後に、この種結晶基板を前記融液表面から離して単結晶の成長を中断させる工程、及び b)再び前記種結晶基板を前記融液表面と接触させて単結晶を成長させる工程からなるサイクルを少なくとも1回以上行うことを含み、前記種結晶が6H-炭化珪素単結晶又は15R-炭化珪素単結晶であり、得られる単結晶が4H-炭化珪素単結晶であることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

SiとCを含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、下記工程a)及びb) a)前記種結晶基板を前記融液表面と接触させて単結晶を成長させた後に、この種結晶基板を前記融液表面から離して単結晶の成長を中断させる工程、及び b)再び前記種結晶基板を前記融液表面と接触させて単結晶を成長させる工程 からなるサイクルを少なくとも1回以上行うことを含み、前記種結晶が6H-炭化珪素単結晶又は15R-炭化珪素単結晶であり、得られる単結晶が4H-炭化珪素単結晶であることを特徴とする方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 17/00

FI (2)：

C30B29/36 A ,  C30B17/00

F-Term (4)：

4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077EA01 ,  4G077MB06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-072033   Applicant：株式会社日立製作所
• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-164061   Applicant：住友金属工業株式会社
• SiC単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-315361   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• 炭化ケイ素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-320714   Applicant：株式会社東芝