窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997043195
Publication number (International publication number)：1998242061
Application date： Feb. 27, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】青色半導体レーザや青色発光ダイオードにおいて動作電圧を低減できるだけでなく、動作中における動作電圧の上昇の防止や、動作中での発光効率の低下を抑制でき、ひいては信頼性の高い素子を実現することを可能とする。【解決手段】本発明は、p型不純物をドープした窒化ガリウム系半導体層を有機金属化合物気相成長法を用いて成長する最中、あるいは、該窒化ガリウム系半導体層の成長後に、該窒化ガリウム系半導体層を高温の状態において赤外線を該窒化ガリウム系化合物半導体層に照射する工程を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

p型不純物をドープした窒化ガリウム系半導体層を有機金属化合物気相成長法を用いて成長する最中、あるいは、該窒化ガリウム系半導体層の成長後に、該窒化ガリウム系半導体層を高温の状態において赤外線を該窒化ガリウム系化合物半導体層に照射する工程を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , H01L 21/26 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18 , H01L 21/26 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

窒化物系化合物半導体の熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-181417 Applicant：ソニー株式会社

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