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J-GLOBAL ID：200903060911724764

薄膜トランジスタ液晶表示装置

Inventor： 宇野 光宏 ,  田窪 米治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994118828
Publication number (International publication number)：1995325322
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 広視角化が可能な画素分割構成の薄膜トランジスタ(TFT)液晶表示装置を、通常の構成の液晶表示装置と同じ簡単な工程で製作可能とする。【構成】 逆スタガー構造のTFT14から供給された駆動電圧を分割(低減)するために画素の容量に直列接続された制御容量12を、ソース電極8aとドレイン電極8bと同時に形成される導電体パターンと画素電極で形成する。

Claim (excerpt)：

部材である基板上に複数の逆スタガー構成の薄膜トランジスタと、複数の画素電極とがマトリクス状に配列され、前記複数の画素電極の中の一部の数の画素電極において画素容量と直列に接続された制御容量を有する薄膜トランジスタ液晶表示装置において、前記制御容量を形成する電極が、前記薄膜トランジスタを形成するソース-ドレイン電極と同時に形成される導電体パターンと画素電極とで構成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/1345

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• アクティブマトリクス型液晶表示素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-252531   Applicant：株式会社東芝