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J-GLOBAL ID:200903060959086476
マイクロエレクトロニクス構造体用電子ビーム加工膜
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
社本 一夫 (外5名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1997503125
Publication number (International publication number):1999506872
Application date: Jun. 04, 1996
Publication date: Jun. 15, 1999
Summary:
【要約】マイクロエレクトロニック用途に使用するための誘電膜でコートされた支持体を製造する方法であって、該コーテッド支持体表面を電子ビームの束に曝すことにより該膜が加工される方法。電子ビーム暴露により硬化された支持体は、優れた誘電特性、密度、均一性、熱安定性、及び酸素安定性を有する。
Claim (excerpt):
支持体上に誘電性物質を硬化させる方法であって、 (a)前記支持体の表面に誘電性物質を適用すること;及び (b)前記誘電性物質を、該誘電性物質を膜に硬化するのに十分な条件下で電子ビーム照射に曝すことを含む方法。
IPC (2):
H01L 21/316
, H01L 21/027
FI (3):
H01L 21/316 G
, H01L 21/316 P
, H01L 21/30 541 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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特開昭62-086062
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特開昭60-235441
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特開昭56-040261
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特開平4-364040
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低温フローのBPSGを形成するプラズマCVDプロセス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-050073
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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特開昭58-098935
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特開平4-022127
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特開昭59-143362
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特開昭62-163333
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特開2050-194614
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