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J-GLOBAL ID：200903061025950911

半導体レーザ装置とその製造方法

Inventor： 永井 豊
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 大岩 増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995048304
Publication number (International publication number)：1996250801
Application date： Mar. 08, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 クラッド層とコンタクト層とのエッチングレートの差により生じる両者の間の段差を緩和し、レーザ特性の劣化を防止し、信頼性の高いリッジ型半導体レーザ装置とその製造方法を提供する【構成】 p-Al0.5Ga0.5As第2クラッド層6とp-GaAs第1コンタクト層8の間に、両者の中間的なアルミ組成を有するp-Al0.25Ga0.75Asエッチングバッファ層7を挿入する。エッチングバッファ層7は、有機酸・過酸化水素溶液に対してはアルミ組成比依存性により第1コンタクト層8と第2クラッド層6の中間的なエッチングレートを有するため、各層間でのエッチングレート差が従来より小さくなり、滑らかな側面の形状のリッジ構造が再現性良く形成できる。

Claim (excerpt)：

クラッド層とコンタクト層の間にエッチングバッファ層を有するリッジ型導波路を備え、上記エッチングバッファ層のアルミ組成比が、上記クラッド層とコンタクト層のそれぞれのアルミ組成比の中間的な値であることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 可視光半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-126951   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平1-093191