Pat
J-GLOBAL ID：200903061068081062
ウェハレベル真空パッケージデバイスの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：
社本 一夫
, 小野 新次郎
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 夫馬 直樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007204178
Publication number (International publication number)：2008132587
Application date： Aug. 06, 2007
Publication date： Jun. 12, 2008
Summary：
【課題】ハウジング内に基板とMEMSデバイスを取り付けたパッケージを低コストで提供する。【解決手段】1又はそれ以上の微小電子機械システム(MEMS)デバイスを備えたデバイス層は、第1の表面が第1のウェハにボンディングされる。第1のウエハは導電のための1またはそれ以上のシリコンピン32を有し、シリコンピンとデバイス層を電気的に接続する。同様に1又はそれ以上のシリコンピンを有する第2のウェハが、デバイス層の第1の表面の反対面である第2の表面にボンディングされる。第1及び第2のウェハは、ホウケイ酸ガラスから作られており、デバイス層はシリコンからできている。【選択図】図2K
Claim (excerpt)：
密封シールされたデバイスであって、
1またはそれ以上の微小電子機械システム(MEMS)デバイスを有するデバイス層(22)と、
1またはそれ以上のシリコンピン(32)を有するホウケイ酸ガラスを含む第1のウェハ(30)と、を有し、
電気的に活性な領域と導線とを備えた第1のウェハの第1の表面が、1またはそれ以上のシリコンピンがMEMSデバイスの個々の部分および/または導線と電気的に接続されるような仕方でデバイス層の第1の表面とボンディングされ、
前記デバイス層の第2の表面にボンディングされた第2のウェハ(40)と
を有することを特徴とするデバイス。
IPC (4)：
B81B 1/00
, H01L 23/02
, H01L 23/26
, B81C 3/00
B81B1/00
, H01L23/02 J
, H01L23/26
, B81C3/00
3C081BA30
, 3C081BA32
, 3C081CA05
, 3C081CA32
, 3C081DA02
, 3C081DA06
