Pat

J-GLOBAL ID：200903061083073076

半導体センサ及び同半導体センサの製造方法

Inventor： 橋本 雅人 ,  長尾 勝 ,  千田 英美 ,  千田 和身 ,  根木 敬子 ,  岡山 倫久
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (2)： 大庭 咲夫 ,  加藤 慎治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003314796
Publication number (International publication number)：2004085575
Application date： Sep. 05, 2003
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：

【課題】 振動特性が安定し、且つ検出精度の高い半導体センサ、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 基板10に絶縁層20を介して支持されるとともに基板上で振動可能な可動部40と、印加される電圧に基づいて可動部を振動させる駆動部50a,42a,50b,42bと、検出用電極60a,60bを含むとともに可動部の検出軸方向の変位を静電容量の変化として検出する検出部とを備えた半導体センサにおいて、可動部と基板との間を同電位に維持するとともに可動部と基板との間のインピーダンスを所定の高インピーダンスに維持した。これにより、基板と可動部間に電位差が生じないため、これらの間に静電引力が発生せず、可動部の振動特性が安定する。また、駆動部に印加される電圧による電流が検出部の検出結果に影響を及ぼさないため、センサの検出精度が向上する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板に絶縁層を介して振動可能に支持された可動部と、前記可動部の変位を検出する検出部と、前記基板に絶縁層を介して支持されるとともに同基板と密着する部分とを有してなり同基板の電位を取り出す基板電極とを備えた半導体センサの製造方法において、 前記基板電極の製造工程が、 前記基板上面の絶縁層に支持され同基板方向に変形可能な前記基板電極となる部材を形成する工程と、 前記基板電極となる部材の一部を前記基板に静電接合させる工程とを含んだことを特徴とする半導体センサの製造方法。

IPC (3)：

G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01L29/84

FI (3)：

G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01L29/84 Z

F-Term (23)：

2F105BB01 ,  2F105BB04 ,  2F105BB11 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  2F105CD13 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA32 ,  4M112CA33 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112EA18 ,  4M112FA07 ,  4M112FA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 角速度検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-274025   Applicant：株式会社村田製作所