半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：今下勝博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002123861
Publication number (International publication number)：2003318369
Application date： Apr. 25, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明は、FeRAM型若しくはMFMIS-FET型の半導体装置において、下部電極を構成する貴金属結晶粒子の粒内に金属酸化物結晶粒子を分散して析出させた下部電極とすることで、下部電極のヒロックの発生を抑制することである。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、FeRAM型若しくはMFMIS-FET型の半導体装置において、下部電極を構成する貴金属結晶粒子の粒内に金属酸化物結晶粒子を分散して析出させたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板を含む下地上に順次、下部電極、強誘電体膜及び上部電極とを積層したキャパシタを備えたFeRAM型の半導体装置において、前記下部電極は、該下部電極を構成する貴金属結晶粒子の粒内に金属酸化物結晶粒子を分散して析出させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/105 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 444 B , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 444 A

F-Term (20)：

5F083FR02 , 5F083FR07 , 5F083GA25 , 5F083HA02 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F101BA62 , 5F101BD02 , 5F101BH01 , 5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

バリアを伴う酸化耐熱性金属を用いた複合イリジウムバリア構造およびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-149037 Applicant：シャープ株式会社
半導体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-301985 Applicant：株式会社日立製作所
強誘電体キャパシタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-177512 Applicant：株式会社東芝

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