強誘電体キャパシタ及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉武賢次 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001177512
Publication number (International publication number)：2002043539
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】強誘電体キャパシタの信頼性の向上を図る。【解決手段】上部電極14Aを形成するのに酸化膜マスク16Aを用い、上部電極14A形成後もこの酸化膜マスク16Aをそのまま残存させる。また、下部電極10A及び強誘電体膜12Aを形成するのに酸化膜マスク22A及びフォトレジストマスク24を用い、下部電極10A形成後もこの酸化膜マスク22Aをそのまま残存させる。これにより、下部電極10Aと上部電極14Aとが残さによりショートするのを防止し、強誘電体キャパシタの信頼性の向上を図ることができる。

Claim (excerpt)：

下部電極用マスクを用いて下部電極用薄膜をエッチングすることにより、形成された下部電極と、前記下部電極用マスクを用いて強誘電体用薄膜をエッチングすることにより、前記下部電極上に形成された、強誘電体膜と、上部電極用マスクを用いて上部電極用薄膜をエッチングすることにより、前記強誘電体膜上の一部に形成された、上部電極と、を備えることを特徴とする強誘電体キャパシタ。

FI (2)：

H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 444 C

F-Term (20)：

5F083FR01 , 5F083FR02 , 5F083GA11 , 5F083GA25 , 5F083GA28 , 5F083JA02 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR39 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

積層構造及びその製造方法、キャパシタ構造並びに不揮発性メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-172532 Applicant：ソニー株式会社
強誘電体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-267274 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-002835 Applicant：松下電子工業株式会社

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