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J-GLOBAL ID：200903061191801304

パルス状直流スパッタ成膜方法及び該方法のための成膜装置

Inventor：
五戸 成史

About 五戸 成史


Applicant, Patent owner：
株式会社アルバック

About 株式会社アルバック


Agent (2)： 北村 欣一 ,  吉岡 正志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003055286
Publication number (International publication number)：2004266112
Application date： Mar. 03, 2003
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：
【課題】例えば、コンタクトホールやスルーホール、配線溝等の内壁面に対して、膜厚や膜質などの点で高い膜性能を確保した成膜を行い得るパルス状直流スパッタ成膜方法及びこの方法のための成膜装置を提供する【解決手段】スパッタガス導入ロ3と真空排気口2と有する真空室1内に、互いに対向するターゲット6と基板7とをそれぞれ載置するスパッタカソード4と基板ステージ5とを設けて構成したスパッタ成膜装置に、基板ステージ5に対し出力可変の電源9と、カソード4に対して平均電力一定の条件下で可変のデューティ比による出力可能なパルス状直流電源8と、制御系10とを接続し、制御系10には、あらかじめ、所定の基板バイアス電圧下で基板・ターゲット間を所定距離に離間したときのパルス状直流電圧のデューティ比と各表面の薄膜の膜厚分布との2成分参照データを記憶し、各表面の成膜時に、膜厚を略均一にするデューティ比を参照データから選択してこれを変数とするデューティ比関数とし、この関数により電源8及び電源9の出力を制御するようにした。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ターゲットに対してパルス状の直流電力を印加するスパッタ成膜方法において、あらかじめ凹凸が形成された基板側に可変のバイアス電圧を印加可能とすると共に前記パルス状直流電力の平均電力を一定に保ったまま該パルス状電力のデューティ比を可変とし、初めに、基板バイアス電圧及びカソード電圧のうち該バイアス電圧を初期値に固定した状態で、前記デューティ比を変化させながら、前記凹凸を有する基板に薄膜を形成し、次に、該凹凸の側壁部及び底部の各表面に形成された前記薄膜の膜厚が略均一となるように、前記デューティ比と前記基板バイアス電圧とをそれぞれ変化させることを特徴とするパルス状直流スパッタ成膜方法。
IPC (2)：
H01L21/285 ,  C23C14/34
FI (2)：
H01L21/285 S ,  C23C14/34 S
F-Term (18)：
4K029AA06 ,  4K029BA16 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD38 ,  4M104DD39 ,  4M104DD42 ,  4M104HH13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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