Pat

J-GLOBAL ID：200903061204070835

半導体素子用ヒートシンクの製造方法

Inventor： 鈴木 正夫
Applicant, Patent owner： 株式会社リョーサン
Agent (1)： 吉原 省三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997202642
Publication number (International publication number)：1999031771
Application date： Jul. 14, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 フィン相互の間隔をできるだけ短く配置したヒートシンクを簡易に製造する。【解決手段】 予め成形した複数のフィン3を、ダイカスト機の金型1内に固定配置した後、溶湯を金型1,2内に注入してベース部を鋳造し、その鋳造と同時に前記各フィン3の一端をベース部に固着させる。

Claim (excerpt)：

予め成形した複数のフィンを、ダイカスト機の金型内に固定配置した後、溶湯を金型内に注入してベース部を鋳造し、その鋳造と同時に前記各フィンの一端をベース部に固着させることを特徴とする半導体素子用ヒートシンクの製造方法。

IPC (2)：

H01L 23/467 ,  B22D 19/04

FI (2)：

H01L 23/46 C ,  B22D 19/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• LSI用ヒートシンク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-321781   Applicant：蛇の目ミシン工業株式会社