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J-GLOBAL ID：200903061209456995

スピン流狭窄層を備えたスピン蓄積素子及び磁気センサ

Inventor： 山田 将貴 ,  高橋 宏昌
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006121663
Publication number (International publication number)：2007294710
Application date： Apr. 26, 2006
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：

【課題】高出力・高分解能・低ノイズのスピン蓄積素子を提供する。【解決手段】スピン流狭窄層405を、電圧検出用磁性導体406と非磁性導電体401との間に備える。スピン流狭窄層にはスピン流しか流れない。スピン流の狭窄化によって、抵抗変化を生じる散乱体以外の余分な部分にスピン流が流れることを防ぐことができるので、スピン蓄積素子の検出効率が飛躍的に上がる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

非磁性導電体と、 前記非磁性導電体上に絶縁障壁層を介して形成された第一の磁性導電体と、 前記絶縁障壁層を介して前記非磁性導電体と前記第一の磁性導電体の間に電流を流すための電極と、 前記絶縁障壁層から離れた位置で前記非磁性導電体上に形成された第二の磁性導電体と、 前記非磁性導電体と前記第二の磁性導電体との間に発生する電圧を計測するための電極とを有し、 前記第二の磁性導電体と前記非磁性導電体との接合面積が0.001μm2以下であることを特徴とするスピン蓄積素子。

IPC (3)：

H01L 29/82 ,  G11B 5/33 ,  G01R 33/09

FI (3)：

H01L29/82 Z ,  G11B5/33 ,  G01R33/06 R

F-Term (17)：

2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD64 ,  5F092AA01 ,  5F092AA02 ,  5F092AA05 ,  5F092AB01 ,  5F092AB03 ,  5F092AC21 ,  5F092AD12 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BD19 ,  5F092BD20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-149844   Applicant：TDK株式会社
• 磁気センサ及びそれを備える磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-144262   Applicant：株式会社日立製作所
• スピン注入素子及びスピン注入素子を用いた磁気装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-349262   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• スピン注入素子及びそれを用いた磁気装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-180130   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構

Cited by examiner (2)

• スピン注入素子及びそれを用いた磁気装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-180130   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• 磁気素子及びこれを用いた磁気信号処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-272794   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Electrical detection of spin precession in a metallic mesoscopic spin valve"