薄膜磁気ヘッド

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 阿部豊隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003149844
Publication number (International publication number)：2004355682
Application date： May. 27, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】磁気抵抗変化率が向上された薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、及び磁気抵抗効果素子を提供すること。【解決手段】本発明の薄膜磁気ヘッド10は、反強磁性層32、ピンド層42、フリー層46、及び、ピンド層とフリー層との間に設けられた非磁性層45を備える。また、フリー層46の厚さ方向にセンス電流が流されるCPP型のヘッドである。そして、ピンド層42は、Cuで形成された第1層36と、Cuで形成され、第1層よりもフリー層側に配された第2層38と、第1層と第2層との間にこれらの層に接して配されると共に、強磁性層を部分的に酸化させた中間層37とを有する積層部40を含んでいる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

反強磁性層と、前記反強磁性層と交換結合して磁化の向きが固定されたピンド層と、外部磁界に応じて磁化の向きが変化するフリー層と、前記ピンド層と前記フリー層との間に設けられた非磁性層と、を備え、前記フリー層の厚さ方向にセンス電流が流され、前記ピンド層は、 Cuで形成された第1層と、 Cuで形成され、前記第1層よりも前記フリー層側に配された第2層と、前記第1層と前記第2層との間にこれらの層に接して配されると共に、強磁性層を部分的に酸化させた中間層とを有する積層部を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。

IPC (1)：

G11B5/39

FI (1)：

G11B5/39

F-Term (7)：

5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA12 , 5D034BA15 , 5D034BA21 , 5D034BB12 , 5D034CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

CPP磁気抵抗効果素子及びその製造方法、CPP磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-372423 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-275417 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-322041 Applicant：株式会社東芝

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