Pat

J-GLOBAL ID：200903061259157905

電子部品のプラズマ処理装置および電子部品製造方法

Inventor： 土師 宏 ,  酒見 省二 ,  森迫 勇 ,  吉田 尚人
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997310164
Publication number (International publication number)：1999145120
Application date： Nov. 12, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 封止樹脂との密着性を向上させることができる電子部品のプラズマ処理装置および電子部品製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板31上に半導体素子41を搭載し、この半導体素子41と基板31の電極32をワイヤボンディングにより接続してなる電子部品の製造方法において、銅電極32a上のニッケル膜32b上に形成された金膜32cの表面に、半導体素子接着時の熱処理によって生成する接合阻害物を、アルゴンガスによる第1のプラズマ処理により除去してワイヤボンディング性を向上させる。その後、第1のプラズマ処理によって樹脂モールド45との密着性が低下したレジスト34の表面を、酸素ガスプラズマを用いる第2のプラズマ処理によって改質し、封止樹脂の樹脂モールド45との密着性を向上させる。

Claim (excerpt)：

真空チャンバと、この真空チャンバ内にあって基板と半導体素子より成る電子部品を載置する下部電極と、この下部電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、この高周波電源を制御する高周波電源制御部と、前記真空チャンバ内を真空排気する真空排気部と、前記真空チャンバ内に異なる種類およびまたは流量のプラズマ発生用ガスを供給するプラズマガス供給手段とを備え、前記高周波電源の出力ならびにプラズマ発生用ガスの種類およびまたは流量を制御することにより、スパッタリング効果による基板の電極表面の異物除去を目的としたプラズマ処理と、基板のレジスト表面の改質を目的としたプラズマ処理を行うことを特徴とする電子部品のプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/60 311

FI (3)：

H01L 21/302 B ,  C23C 14/54 B ,  H01L 21/60 311 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-126438   Applicant：沖電気工業株式会社