半導体記憶装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997076315
Publication number (International publication number)：1998270654
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】強誘電体膜を有する薄膜キャパシタを用いた、高集積化が可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、強誘電体膜14及び強誘電体膜14を介して対向する一対の電極13、15とを有する薄膜キャパシタと、薄膜キャパシタに接続して設けられた転送ゲート用トランジスタとを具備するメモリセルを、マトリックス状に複数個配置してなる。薄膜キャパシタを飽和分極させたときのヒステリシス曲線の幅に相当する電圧は、正方向と負方向との間の書き込み動作時の電圧差に対して、5%以上且つ20%以下である。また、薄膜キャパシタを飽和分極させたときの残留分極量は、書き込み動作時の電圧を加えたときの全分極量に対して、5%以上且つ30%以下である。

Claim (excerpt)：

強誘電体膜及び前記強誘電体膜を介して対向する一対の電極とを有する薄膜キャパシタと、前記薄膜キャパシタに接続して設けられた転送ゲート用トランジスタとを具備するメモリセルを、マトリックス状に複数個配置してなる半導体記憶装置において、前記薄膜キャパシタに正方向と負方向の最大動作電圧を加えて測定した分極ヒステリシス曲線の幅に相当する電圧が、正方向と負方向の最大動作電圧の差に対して5%以上且つ20%以下であることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/10 451 , G11C 11/22 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 27/10 451 , G11C 11/22 , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

薄膜キャパシタ及び半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-082091 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-216891 Applicant：株式会社日立製作所

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