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J-GLOBAL ID:200903061275792262

水素含有超純水の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 内山 充
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997252847
Publication number (International publication number):1999077023
Application date: Sep. 02, 1997
Publication date: Mar. 23, 1999
Summary:
【要約】【課題】微粒子により汚染された半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板などの電子材料のウェット洗浄に用いる水素含有超純水を、水素ガスの無駄がなく、高い水素ガス溶解効率で製造することができる水素含有超純水の製造方法を提供する【解決手段】超純水を脱気して溶存気体の飽和度を低下させたのち、水素ガスを供給して超純水に水素ガスを溶解することを特徴とする水素含有超純水の製造方法。
Claim (excerpt):
超純水を脱気して溶存気体の飽和度を低下させたのち、水素ガスを供給して超純水に水素ガスを溶解することを特徴とする水素含有超純水の製造方法。
IPC (4):
C02F 1/20 ,  B01D 19/00 ,  B01F 1/00 ,  B01F 3/04
FI (4):
C02F 1/20 A ,  B01D 19/00 H ,  B01F 1/00 A ,  B01F 3/04 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 脱入気装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-125471   Applicant:工業技術院長
  • 特開平4-058528
  • 特開平3-154601
Cited by examiner (3)
  • 脱入気装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-125471   Applicant:工業技術院長
  • 特開平4-058528
  • 特開平4-058528

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