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J-GLOBAL ID：200903061346638715

多層配線構造を有する半導体装置の製造方法

Inventor： 平田 匡史
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993292300
Publication number (International publication number)：1995147279
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 下層配線1上に層間絶縁膜4としてBPSG膜2を形成してからSOG膜3を堆積し、このSOG膜3をエッチバックした後上層配線6を形成する多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、前記エッチバック工程の後に酸素プラズマでの処理工程と緩衝フッ酸液によるエッチング工程を付加したことにより、処理時間の短縮を図ることを可能にする。

Claim (excerpt)：

下層配線上に層間絶縁膜としてBPSG膜を形成してからSOG膜を堆積し、このSOG膜をエッチバックした後上層配線を形成する多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、前記エッチバック工程の後に酸素プラズマでの処理工程と緩衝フッ酸液によるエッチング工程を付加したことを特徴とする多層配線構造を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/302 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-234148
  
• 特開平4-030524
  
• 有機系塗布ガラスの除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-319280   Applicant：ヤマハ株式会社