受動Qスイッチレーザ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001274017
Publication number (International publication number)：2003086873
Application date： Sep. 10, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】レーザ光出力のピーク強度を増大可能な受動Qスイッチレーザを提供する。【解決手段】受動Qスイッチレーザは、共振器を構成する一対の反射鏡1,2内に配置された固体レーザ媒質(Nd:YAG)3と、共振器内の固体レーザ媒質3から発生した光を吸収し当該吸収に伴って透過率が減少するホスト結晶(Cr4+:YAG:可飽和吸収体)4と、固体レーザ媒質3を励起するレーザ光を出射する半導体レーザ素子5とを備えている。ホスト結晶4が吸収を行うと、ホスト結晶4の温度が増加し、ピーク強度が低下する。本受動Qスイッチレーザは半導体レーザ素子5をパルス駆動する駆動回路9を備えているので、ピーク強度を増加させることができる。

Claim (excerpt)：

共振器を構成する一対の反射鏡内に配置された固体レーザ媒質と、前記共振器内の前記固体レーザ媒質から発生した蛍光を吸収し当該吸収に伴って透過率が減少するホスト結晶と、前記固体レーザ媒質を励起するレーザ光を出射する半導体レーザ素子とを備える受動Qスイッチレーザにおいて、駆動電流パルスを前記半導体レーザ素子に与える駆動回路を備えることを特徴とする受動Qスイッチレーザ。

IPC (2)：

H01S 3/113 , H01S 3/094

FI (2)：

H01S 3/113 , H01S 3/094 S

F-Term (6)：

5F072AB02 , 5F072JJ04 , 5F072KK01 , 5F072KK11 , 5F072PP07 , 5F072SS06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平1-112788
半導体レーザ励起固体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-364275 Applicant：横河電機株式会社
特開平1-112788

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