Pat

J-GLOBAL ID：200903061387220865

薄膜の形成方法

Inventor： 片桐 智治 ,  山本 浩 ,  近藤 英一 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993140879
Publication number (International publication number)：1994346240
Application date： Jun. 11, 1993
Publication date： Dec. 20, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、成膜速度の速い金属薄膜を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係る薄膜の形成方法は、Al成分を含む原料ガスとCu成分を含む原料ガスとを供給し、化学気相成長法によって、所望の領域にAl層51とCu層52との複数層からなる金属薄膜53を形成する金属薄膜形成方法において、前記Cu成分を含む原料ガスとしては、1価の有機Cu化合物の水和物を用いることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

Al成分を含む原料ガスとCu成分を含む原料ガスとを供給し、化学気相成長法によって、所望の領域にAl層とCu層との複数層からなる金属薄膜を形成する薄膜の形成方法において、前記Cu成分を含む原料ガスとしては、1価の有機Cu化合物の水和物を用いることを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/18 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R