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J-GLOBAL ID：200903061477269189

ナノシリコン発光素子及びその製造法

Inventor： 和泉 富雄 ,  佐藤 慶介 ,  岩瀬 満雄
Applicant, Patent owner： 学校法人東海大学
Agent (1)： 岩堀 邦男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003087247
Publication number (International publication number)：2004296781
Application date： Mar. 27, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】本発明は、光の三原色(赤色、緑色、青色)で発光し、特に、青色が鮮明且つ安定的で低電圧下で発光させること。【解決手段】半導体基板1上に、シリコン原子と酸素原子が混ざり合ったアモルファスSiOx膜2が形成されること。不活性ガスにて熱処理されて前記シリコン原子は約3.0nm以下のナノシリコン4aとして形成されること。フッ酸水溶液処理5と熱酸化処理6とがなされてなること。室温において、低い動作電圧7にて光の三原色の何れか、特に青色が発光すること。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、シリコン原子と酸素原子が混ざり合ったアモルファスSiOx膜が形成され、不活性ガスにて熱処理されて前記シリコン原子は約3.0nm以下のナノシリコンとして形成され、フッ酸水溶液処理と熱酸化処理されてなり、室温において、低い動作電圧にて光の三原色の何れかが発光することを特徴とするナノシリコン発光素子。

IPC (3)：

H01L33/00 ,  C23C14/10 ,  H01L21/316

FI (3)：

H01L33/00 A ,  C23C14/10 ,  H01L21/316 S

F-Term (36)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA46 ,  4K029BB10 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC15 ,  4K029GA01 ,  5F041AA04 ,  5F041AA09 ,  5F041AA11 ,  5F041AA44 ,  5F041CA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA25 ,  5F041CA33 ,  5F041CA46 ,  5F041CA50 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CB01 ,  5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BE01 ,  5F058BE03 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF69 ,  5F058BJ01