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J-GLOBAL ID：200903061520005760

圧電共振子、電子部品及び電子機器

Inventor：
北村 英一

About 北村 英一

, 
井上 和裕

About 井上 和裕

, 
竹内 雅樹

About 竹内 雅樹


Applicant, Patent owner：
株式会社村田製作所

About 株式会社村田製作所


Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000253661
Publication number (International publication number)：2001211053
Application date： Aug. 24, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：
【要約】【目的】 共振周波数の温度特性が安定で、かつ共振レスポンスも大きくて共振特性が良好な圧電薄膜共振子を製作する。【解決手段】 Si基板22の上面にSiO2薄膜23を形成し、Si基板22の中央部を開口して設けた空洞24の上にSiO2薄膜23を形成し、SiO2薄膜23の上にAlN圧電薄膜26A及びZnO圧電薄膜26Zからなる圧電積層体28を形成する。圧電積層体28の上面及び下面には、励振用電極27b,27aを設ける。ZnO圧電薄膜26ZとAlN圧電薄膜26Aとは、共振周波数の温度係数の符号が逆であるので、互いに打ち消し合い、全体として温度係数がゼロになる。また、ZnOとAlNはいずれも圧電材料であるから、共振特性が向上する。
Claim (excerpt)：
基板の上に、該基板から少なくとも一部を浮かせるようにして絶縁体層を形成し、共振周波数の温度係数が正である1層もしくは複数層の圧電体層と該温度係数が負である1層もしくは複数層の圧電体層とを積層した圧電積層体を前記絶縁体層の上に配置し、前記圧電積層体を構成する圧電体層の少なくとも1層を挟むようにして電極を設けたことを特徴とする圧電共振子。
F-Term (12)：
5J108AA04 ,  5J108BB01 ,  5J108BB07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC01 ,  5J108CC11 ,  5J108DD01 ,  5J108EE03 ,  5J108EE07 ,  5J108EE13 ,  5J108FF01 ,  5J108KK02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
  • 圧電共振子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-339358   Applicant：京セラ株式会社
  • 特開平4-349164
  • 特開平3-148186
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Cited by examiner (7)
  • 特開平4-349164
  • 圧電共振子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-339358   Applicant：京セラ株式会社
  • 特開平3-148186
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