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J-GLOBAL ID：200903061540367366

縦型MOS電界効果トランジスタ

Inventor： 角 石 千 春
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999311769
Publication number (International publication number)：2001135814
Application date： Nov. 02, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】 裏面にショットキー接合を備えた縦型MOS電界効果トランジスターにおいて、ショットキー金属のバリア高さを考慮した最適条件の設定と、デバイスの実用化を図る。【解決手段】 低濃度ドレイン領域を形成するN型導電型半導体基板の一面側に縦型MOS構成が形成され、他面側に該ドレイン領域とショットキー接合が形成された縦型MOS電解効果トランジスターにおいて、該半導体基体は膜厚1500Å以上、且つSi含有量の0.5 %以上のAl-Si合金で構成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

低濃度ドレイン領域を形成するN型導電型半導体基板の一面側に縦型 MOS構成が形成され、他面側に該ドレイン領域とショットキー接合が形成された縦型MOS電界効果トランジスタにおいて、該半導体基体はシングルウエハーであり、該ショットキー接合は膜厚1500 Å以上、且つSi含有量0.5 %以上のAl-Si合金で構成されたことを特徴とする縦型MOS電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/872

FI (3)：

H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/78 655 C

F-Term (6)：

4M104BB03 ,  4M104CC01 ,  4M104FF02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-280109   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平3-155677
  
• 特開平3-060149