交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000209468
Publication number (International publication number)：2002025822
Application date： Jul. 11, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【目的】耐食性に優れた反強磁性材料としてPtMn合金膜が知られているが、前記PtMn合金膜を反強磁性層として使用しても、結晶配向の状態によって交換結合磁界は小さくなることがわかった。【構成】本発明では、反強磁性層4と強磁性層3は膜面と平行な方向に同じ等価な結晶面が優先配向し、前記結晶面内に存在する同じ等価な結晶軸の少なくとも一部が前記反強磁性層4と強磁性層3とで互いに異なる方向を向いている。これによって前記反強磁性層は熱処理を施すことによって適切な規則変態を起しており、従来に比べて大きな交換結合磁界を得ることが可能である。

Claim (excerpt)：

反強磁性層と強磁性層とが接して形成され、前記反強磁性層と強磁性層との界面に交換結合磁界が発生し、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記反強磁性層は、元素X(ただしXは、Pt,Pd,Ir,Rh,Ru,Osのうち1種または2種以上の元素である)とMnとを含有する反強磁性材料で形成され、前記反強磁性層と強磁性層の前記界面と平行な結晶面は、互いに同じ等価な結晶面が優先配向し、前記結晶面内に存在する、同じ等価な結晶軸の少なくとも一部が、前記反強磁性層及び強磁性層とで互いに異なる方向を向いていることを特徴とする交換結合膜。

IPC (6)：

H01F 10/32 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/12 , H01F 10/30 , H01L 43/08

FI (6)：

H01F 10/32 , G11B 5/39 , H01F 10/12 , H01F 10/30 , H01L 43/08 Z , G01R 33/06 R

F-Term (22)：

2G017AA01 , 2G017AD55 , 2G017AD62 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034BA05 , 5D034BA08 , 5D034BA12 , 5D034BA21 , 5D034CA04 , 5D034CA08 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AA10 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049DB12 , 5E049DB20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

交換結合膜と、この交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-236801 Applicant：アルプス電気株式会社
スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-331916 Applicant：リードライト・エスエムアイ株式会社

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