Pat

J-GLOBAL ID：200903061662287738

誘導結合プラズマ処理装置

Inventor： 里吉 務
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002028415
Publication number (International publication number)：2003229410
Application date： Feb. 05, 2002
Publication date： Aug. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】 大型基板に対して容量結合成分によるプラズマ密度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度の不均一が生じずに、より高密度なプラズマで均一なプラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】 高周波アンテナ13に高周波電力を供給することにより処理室4内に誘導結合プラズマを形成して基板Gにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、高周波アンテナ13は、アンテナ線46,47,48,49,50,51,52の存在密度が疎になる部分63と密になる部分61,62を有するとともに、その中心部分60にアンテナ線が存在しないように構成されている。

Claim (excerpt)：

被処理基板を収容してプラズマ処理を施す処理室と、前記処理室内で被処理基板が載置される基板載置台と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理室内を排気する排気系と、前記処理室の上部壁を構成する誘電体壁と、前記処理室外の前記誘電体壁に対応する部分にアンテナ線を所定のパターンに形成して設けられ、所定の高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、前記高周波アンテナの中心部付近に高周波電源からの高周波電力を供給する給電部材とを具備し、前記高周波アンテナに高周波電力を供給することにより前記処理室内に誘導結合プラズマを形成して被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記高周波アンテナは、前記アンテナ線の存在密度が疎になる部分と密になる部分を有するとともに、その中心部分にアンテナ線が存在しないように構成されていることを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。

F-Term (2)：

5F004AA01 ,  5F004BB13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-035953   Applicant：東京エレクトロン株式会社