硬質磁性膜構造体と、それを用いた磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生ヘッド、磁気記録媒体および磁気記憶装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997282617
Publication number (International publication number)：1998154619
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】厚い下地膜などを適用することなく、Coを構成元素として含む硬質磁性膜の保磁力Hc 、残留磁化Mr 、飽和磁化Ms 、角形比Sなどの磁気特性を向上させる。特に、bi-crystal構造の再現性を高める。【解決手段】 Co系硬質磁性膜17の下地膜18は、表面層12として酸化物層や窒化物層などを有する基板11の主表面上に形成されたCr膜などの結晶性金属下地膜16と、表面層12と結晶性金属下地膜16との間に生成され、表面層12の構成元素と結晶性金属下地膜16の構成元素とを含む反応性アモルファス層13を有する反応性下地膜(ミキシング層)15とを具備する。Co系硬質磁性膜17は、結晶性金属下地膜16上に形成され、例えばbi-crystal構造を有する。Co系硬質磁性膜17は、磁気抵抗効果素子のバイアス磁界印加膜や磁気記録媒体の記録層などに適用される。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の主表面上に形成された結晶性金属下地膜と、前記基板と前記結晶性金属下地膜との間に形成されたアモルファス層と、前記結晶性金属下地膜上に形成され、かつCoを構成元素として含むと共に、bi-crystal構造を有する硬質磁性膜とを具備することを特徴とする硬質磁性膜構造体。

IPC (4)：

H01F 10/16 , G11B 5/39 , H01L 43/08 , H01L 43/10

FI (4)：

H01F 10/16 , G11B 5/39 , H01L 43/08 B , H01L 43/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-153910
磁気記録媒体および磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-175150 Applicant：株式会社東芝
磁気記録媒体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-210728 Applicant：株式会社日立製作所

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