多層構造を有する素子、その素子の製造装置、及びその素子の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大前要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000104690
Publication number (International publication number)：2001085701
Application date： Apr. 06, 2000
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】薄膜トランジスタの製造において、基板上に積層する非晶質半導体薄膜の界面の清浄度を維持することと、基板間でどうしても厚さにばらつきが生じる非晶質半導体薄膜を信頼性高く結晶化することとの2点を同時に実現する。【解決手段】清浄な雰囲気にて基板に非晶質半導体薄膜を成膜し、成膜された非晶質半導体薄膜の結晶化に関係する物性値を測定し、測定した物性値に基づく内容のレーザー光を非晶質半導体薄膜に照射して溶融再結晶化させると共に、基板をこれらのための各装置、部屋間に清浄な雰囲気に保持しつつ搬送したり据え付けたりする。

Claim (excerpt)：

複数の成膜工程により多層構造を有する素子を製造する方法において、前記複数の成膜工程のうちの1つの工程であって、少なくとも1つの膜を成膜する第1の成膜工程と、第1の成膜工程により得られた膜の所定の物性値を測定する測定工程と、測定工程における測定結果に基づき定められる測定条件に応じてその膜を処理する第2の工程とを備え、前記第1の工程、前記測定工程、及び前記第2の工程は、それぞれ所定の清浄雰囲気下で行われることを特徴とする多層構造を有する素子の製造方法。

IPC (7)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , C23C 16/24 , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 27/08 331

FI (11)：

H01L 29/78 627 G , C23C 16/24 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 27/08 331 E , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 624 , H01L 29/78 627 B , H01L 29/78 627 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

レーザアニール装置およびレーザアニール方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-091195 Applicant：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-252088 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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