レジスト表面処理剤組成物及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小島隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000346448
Publication number (International publication number)：2002148821
Application date： Nov. 14, 2000
Publication date： May. 22, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】基板にフッ素原子又は珪素原子をベースポリマーに含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成し、その後該レジスト膜を露光、ポストエクスポジュアーベークし、次いで現像を行うに際し、ポストエクスポジュアーベーク後、現像前にプリウエット処理するために用いるレジスト表面処理剤組成物であって、25°Cにおける表面張力が25dyne/cm以下であり、25°CにおけるpHが7以下である水溶液からなることを特徴とするレジスト表面処理剤組成物。【効果】本発明によれば、フッ素原子や珪素原子を含むベースポリマーを用いたレジスト膜の現像液に対する濡れ性を良好にすることができ、現像不良による欠陥のないレジストパターンを形成することができる。

Claim (excerpt)：

基板にフッ素原子又は珪素原子をベースポリマーに含むレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成し、その後該レジスト膜を露光、ポストエクスポジュアーベークし、次いで現像を行うに際し、ポストエクスポジュアーベーク後、現像前にプリウエット処理するために用いるレジスト表面処理剤組成物であって、25°Cにおける表面張力が25dyne/cm以下であり、25°CにおけるpHが7以下である水溶液からなることを特徴とするレジスト表面処理剤組成物。

IPC (3)：

G03F 7/38 511 , G03F 7/004 504 , G03F 7/075 511

FI (3)：

G03F 7/38 511 , G03F 7/004 504 , G03F 7/075 511

F-Term (15)：

2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AD01 , 2H025CB32 , 2H025CB41 , 2H025CC04 , 2H025FA12 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096FA01 , 2H096FA05 , 2H096GA08 , 2H096GA11 , 2H096JA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

レジストパターンの表面欠陥減少方法及びそれに用いる表面欠陥減少用処理液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-028328 Applicant：東京応化工業株式会社

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