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J-GLOBAL ID：200903061785032041

記憶装置

Inventor： 笠間 泰彦 ,  表 研次
Applicant, Patent owner： 株式会社イデアルスター
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004131667
Publication number (International publication number)：2005317654
Application date： Apr. 27, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】簡素な構成で確実な読込・書込・維持を実現することができる安価で小型な新規の記憶装置を提供する。【解決手段】一つの金属原子21を内包した多数の金属原子内包ナノカプセルとしてのフラーレン20と、このフラーレン20を規則的に配置すると共に各フラーレン20に内包された金属原子21の位置を何れか一方側に独立して分極制御する一対の電極板22,23とを備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一つの金属原子を内包した多数の金属原子内包ナノカプセルと、該多数の金属原子内包ナノカプセルを規則的に配置すると共に該各金属原子内包ナノカプセル内の前記金属原子の位置を何れか一方側に独立して分極制御する一対の電極板とを備えていることを特徴とする記憶装置。

IPC (4)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  G11B11/12 ,  H01L27/10

FI (4)：

H01L29/06 601N ,  B82B1/00 ,  G11B11/12 ,  H01L27/10 451

F-Term (1)：

5F083FZ10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-205526   Applicant：沖電気工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 光導電体および感光体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-313884   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭48-009680