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J-GLOBAL ID：200903061808553940

シリコンウエハ表面微細欠陥評価方法

Inventor： 下井 規弘
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 木下 茂 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998283808
Publication number (International publication number)：2000114333
Application date： Oct. 06, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 レーザ光散乱式表面検査装置を用いて測定検出された鏡面加工シリコンウエハ表面上の光散乱体が、付着ダスト等の異物付着に起因する光散乱体であるか、または、微細欠陥に起因する光散乱体であるかを正確に識別できるシリコンウエハ表面微細欠陥の評価方法を提供する。【解決手段】 鏡面加工されたシリコンウエハ表面上に存在する微細欠陥を、レーザ光散乱式表面検査装置を用いて光散乱体として検出するシリコンウエハ表面の微細欠陥評価方法において、前工程でエッチング処理及び表面測定したウエハを、エッチング性を有するアルカリ性洗浄液を用いて再度エッチング洗浄処理し、処理後のウエハ表面を前工程と同様に測定記録する操作を少なくとも1回実施する工程、及び前記各測定記録を比較参照し、最後の測定記録とそれ以前の測定記録において、その検出位置が不変で、かつそのサイズが順次増大した光散乱体を表面微細欠陥に基づく光散乱体と判定する工程とから成り、ウエハ表面上の付着微小異物に基づく光散乱体と微細欠陥に基づく光散乱体とを分別して評価する。

Claim (excerpt)：

鏡面加工されたシリコンウエハ表面上に存在する微細欠陥を、レーザ光散乱式表面検査装置を用いて光散乱体として検出するシリコンウエハ表面の微細欠陥評価方法において、洗浄処理を施したシリコンウエハ表面を、前記レーザ光散乱式表面検査装置を用いて測定し、該測定により検出された光散乱体の個数、各個散乱体のサイズ及びその存在位置を記録する工程、次いで、シリコンウエハに対し穏和なエッチング性を有するアルカリ性洗浄液を用いて、該ウエハ表面上に存在する微細欠陥が、そのサイズにおいて該表面検査装置の測定誤差以上に成長拡大する迄、前記シリコンウエハ表面をエッチング洗浄処理すると共に前記表面検査装置での測定により、シリコンウエハ表面上の光散乱体の個数、各個散乱体サイズ及び存在位置を測定記録する操作を少なくとも1回実施する工程、及び前記各測定記録を比較参照し、最後の測定記録とそれ以前の測定記録において、その検出位置が不変で、かつそのサイズが順次増大した光散乱体を表面微細欠陥に基づく光散乱体と判定する工程とから成り、ウエハ表面上の付着微小異物に基づく光散乱体と微細欠陥に基づく光散乱体とを分別して評価することを特徴とするシリコンウエハ表面の微細欠陥評価方法。

F-Term (13)：

4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106BA12 ,  4M106CB19 ,  4M106CB20 ,  4M106DA15 ,  4M106DH01 ,  4M106DH11 ,  4M106DH32 ,  4M106DH55 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-299550
  
• パーティクルの検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-203189   Applicant：信越半導体株式会社
• 単結晶シリコンの成長欠陥の検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-132909   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 特開平4-299550