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J-GLOBAL ID：200903061849559375

半導体発光素子

Inventor： 伊藤 哲 ,  大畑 豊治 ,  石橋 晃 ,  中山 典一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994114467
Publication number (International publication number)：1995154035
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光閉じ込め特性およびキャリア閉じ込め特性が良好で、動作時の発熱がなく、しかも製造が容易な、ZnMgSSe系化合物半導体をクラッド層の材料として用いた青色ないし緑色で発光が可能な半導体発光素子を実現する。【構成】 n型GaAs基板1上にn型ZnSeバッファ層2を介してn型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層3、n型ZnSe光導波層4、活性層5、p型ZnSe光導波層6、p型Zn1-p Mgp Sq Se1-q クラッド層7、p型ZnSv Se1-v 層8およびp型ZnSeコンタクト層9を順次積層するとともに、p型ZnSeコンタクト層9上にはp側電極11を形成し、n型GaAs基板1の裏面にはn側電極12を形成し、半導体レーザーや発光ダイオードなどの半導体発光素子を構成する。活性層5は例えばi型Zn1-z Cdz Seにより形成する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に積層されたZnMgSSe系化合物半導体から成る第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に積層された活性層と、上記活性層上に積層されたZnMgSSe系化合物半導体から成る第2導電型の第2のクラッド層とを有する半導体発光素子において、上記第2のクラッド層上および/または上記化合物半導体基板と上記第1のクラッド層との間にZnSSe系化合物半導体層が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-032253   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平1-282198