窒化物半導体層の製造方法および窒化物半導体基板の製造方法ならびに窒化物半導体基板製造用基体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001007364
Publication number (International publication number)：2002217113
Application date： Jan. 16, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】窒化物半導体とは異なる材料の基板と、窒化物半導体との熱膨張係数差により、窒化物半導体膜へのクラックの発生を抑制する方法および、クラックのない窒化物半導体基板を製造する方法を提供する。【解決手段】母材基板の上に易破壊層を設けて、その上に窒化物半導体層を形成する。サファイア基板の主面に薄いシリコンを成長し、窒化物半導体層を厚く成長する。さらに、シリコン基板をエッチングで除去して窒化物半導体基板を得る。

Claim (excerpt)：

母材基板上に半導体層を設ける工程と、前記半導体層上に窒化物半導体層を設けて前記半導体層に欠陥を生じせしめる工程とを有する窒化物半導体層の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (30)：

5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB02 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB19 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB08 , 5F045BB13 , 5F045DA51 , 5F045DA53 , 5F045DA69 , 5F045HA13 , 5F045HA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322132 Applicant：豊田合成株式会社
特開平1-173764
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-032031 Applicant：松下電子工業株式会社

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Cited by examiner (5)

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