CSPタイプの半導体装置とその作製方法、および半導体モジュール

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金山聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000369121
Publication number (International publication number)：2002170904
Application date： Dec. 04, 2000
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】基板に実装された状態での温度変化によるSiチップクラック、反りが発生しにくい、CSPタイプの半導体装置を提供する。【解決手段】ウエハレベルで、端子側の第2のビア部165の形成領域に基板を貫通させない穴を形成する工程と、端子部を第1のビア部160の形成領域として開口し、且つ、第2のビア部の形成領域である穴部の表面部を含めて端子側に絶縁層120を形成する工程と、絶縁層上に、給電層130を形成する工程と、給電層上に、配線、第1のビア部、第2のビア部の形成領域に合せた開口を有する耐めっき性のレジスト層を形成する工程と、レジスト層の開口部から露出した給電層上に、電解めっきを施す工程と、レジスト層を剥離後、露出した給電層を、エッチング除去する工程と、ウエハ基板の端子側とは反対側を研磨して、穴部を貫通させる工程と、ウエハ基板の端子側とは反対側の、第2のビア部にバンプ180を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体チップの端子側に配設された絶縁層上に配線を形成した半導体装置で、前記配線と前記端子とは、前記絶縁層の前記端子の領域を貫通する第1のビア部を介して、電気的に接続されており、且つ、前記配線は、前記半導体チップを貫通する第2のビア部に接続し、前記半導体チップの前記端子側とは反対側の前記第2のビア部領域にバンプを外部端子として形成しているCSPタイプの半導体装置を作製する、半導体装置の作製方法であって、ウエハプロセスを完了後、ウエハレベルで、順に、(a)ウエハ基板の端子側の第2のビア部の形成領域に、ウエハ基板を貫通させない穴を形成する穴部形成工程と、(b)ウエハ基板の端子部を第1のビア部の形成領域として開口し、且つ、第2のビア部の形成領域である穴部の表面部を含めて、ウエハ基板の端子側に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、(c)絶縁層上に、給電層を形成する給電層形成工程と、(d)給電層上に、配線、第1のビア部、第2のビア部の形成領域に合せた開口を有する耐めっき性のレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、(e)レジスト層の開口部から露出した給電層上に、電解めっきを施して、配線、第1のビア部、第2のビア部を形成する、電解めっき工程と、(f)レジスト層を剥離後、露出した給電層を、配線、第1のビア部、第2のビア部の機能を損なわないようにエッチング除去するソフトエッチング工程と、(g)ウエハ基板の端子側とは反対側のを研磨して、穴部を貫通させ、第2のビア部を形成する、研磨工程と、(h)ウエハ基板の端子側とは反対側の、第2のビア部にバンプを形成するバンプ形成工程とを、行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 23/12 501 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2)：

H01L 23/12 501 P , H01L 25/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭63-156348
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-051209 Applicant：ローム株式会社

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