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J-GLOBAL ID:200903061888660253

垂直インピーダンスセンサ構造および垂直インピーダンスセンサ構造の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003576947
Publication number (International publication number):2005527799
Application date: Mar. 14, 2003
Publication date: Sep. 15, 2005
Summary:
本発明は、垂直インピーダンスセンサ構造および垂直インピーダンスセンサ構造の製造方法に関するものである。垂直インピーダンスセンサ構造は、基板と第1の導電構造とを備えている。第1の導電構造は、第1の露出表面を備え、基板中および/または基板上に配置されている。間隔保持部は、基板上方および/または第1の導電構造上の少なくとも一部に配置されている。垂直インピーダンスセンサ構造は、第2の導電構造をさらに備えている。この第2の導電構造は第2の露出面を備え、間隔保持部上に配置されている。第1および第2の露出面領域には、認識される粒子とハイブリダイゼーションできるように構成された捕獲分子が固定されている。
Claim (excerpt):
基板と、 第1の露出表面を有し、上記基板中および/または上記基板上に配置されている第1の導電構造と、 上記基板上方、および/または、上記第1の導電構造の少なくとも一部上に、配置されている間隔保持部と、 上記間隔保持部上に配置されており、第2の露出表面を有する第2の導電構造と、 上記第1および第2の露出表面上に固定され、認識される粒子とハイブリダイゼーションできるように構成されている捕獲分子と、 を備えている、垂直インピーダンスセンサ構造。
IPC (1):
G01N27/02
FI (2):
G01N27/02 D ,  C12N15/00 A
F-Term (8):
2G060AA15 ,  2G060AF06 ,  2G060AG06 ,  2G060AG11 ,  2G060KA09 ,  4B024AA11 ,  4B024CA09 ,  4B024HA12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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