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J-GLOBAL ID：200903061888660253
垂直インピーダンスセンサ構造および垂直インピーダンスセンサ構造の製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
原 謙三
, 木島 隆一
, 金子 一郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003576947
Publication number (International publication number)：2005527799
Application date： Mar. 14, 2003
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：
本発明は、垂直インピーダンスセンサ構造および垂直インピーダンスセンサ構造の製造方法に関するものである。垂直インピーダンスセンサ構造は、基板と第1の導電構造とを備えている。第1の導電構造は、第1の露出表面を備え、基板中および/または基板上に配置されている。間隔保持部は、基板上方および/または第1の導電構造上の少なくとも一部に配置されている。垂直インピーダンスセンサ構造は、第2の導電構造をさらに備えている。この第2の導電構造は第2の露出面を備え、間隔保持部上に配置されている。第1および第2の露出面領域には、認識される粒子とハイブリダイゼーションできるように構成された捕獲分子が固定されている。
Claim (excerpt)：
基板と、
第1の露出表面を有し、上記基板中および/または上記基板上に配置されている第1の導電構造と、
上記基板上方、および/または、上記第1の導電構造の少なくとも一部上に、配置されている間隔保持部と、
上記間隔保持部上に配置されており、第2の露出表面を有する第2の導電構造と、
上記第1および第2の露出表面上に固定され、認識される粒子とハイブリダイゼーションできるように構成されている捕獲分子と、
を備えている、垂直インピーダンスセンサ構造。
IPC (1)：
FI (2)：
G01N27/02 D
, C12N15/00 A
2G060AA15
, 2G060AF06
, 2G060AG06
, 2G060AG11
, 2G060KA09
, 4B024AA11
, 4B024CA09
, 4B024HA12
Cited by examiner (6)
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