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J-GLOBAL ID：200903061915776595

半導体装置の製造方法

Inventor： 小柳 賢一 ,  岸本 光司 ,  本間 哲哉
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996080177
Publication number (International publication number)：1997275135
Application date： Apr. 02, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】パー・ハイドロ・シラザン重合体((SiH2 NH)n )を脱水縮合して良好の特性を有するSOG膜を形成する方法を提供する。【解決手段】パー・ハイドロ・シラザン重合体を脱水縮合してSOG膜111を形成する際の熱処理が、水分とオゾンとの共存する雰囲気で行なわれる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面の素子形成領域に半導体素子を形成し、該半導体素子を含めて該半導体基板の表面を覆う絶縁膜を形成する工程と、過水素化シラザン重合体((SiH2 NH)n )が有機溶剤に分散された溶液を前記絶縁膜の表面上に塗布し、少なくとも水分(H2 O)とオゾン(O3 )とを含んだ雰囲気で熱処理を行なってSOG膜を形成する工程と、前記SOG膜,絶縁膜を貫通して前記半導体素子に達するコンタクト・ホールを形成する工程と、前記コンタクト・ホールを介して前記半導体素子に接続される金属配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/90 Q ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-042770   Applicant：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
• セラミック被覆の低温形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平2-800027   Applicant：ダウコーニングコーポレーシヨン