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J-GLOBAL ID:200903061959080776

半導体装置等の製造方法及びその装置並びに検査方法及びその装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993334606
Publication number (International publication number):1995201946
Application date: Dec. 28, 1993
Publication date: Aug. 04, 1995
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】半導体装置等の製造物を信頼性高くかつ効率良く製造する方法及びその製造装置並びに検査方法及びその検査装置を提供する。【構成】予め設定された被検査物の検査基準に基いて欠陥を抽出する自動検査ユニット1と、前記検査ユニット1において抽出され得られる欠陥に関する情報を受け取り、前記欠陥の類似性に基づいて欠陥の種類を分類かつ出力し、前記分類された結果に基づいて前記欠陥に関する特徴量を抽出するユニット2と、前記特徴量を被検査物の製造機の状態を制御するパラメ-タに変換し、変換後のパラメ-タを被検査物の製造機にフィ-ドバックし前記製造機の調整を行うユニット4より構成する。
Claim (excerpt):
被検査物の欠陥を抽出し、該抽出された欠陥に関する情報に基づいて欠陥の類似性に基づき欠陥の種類を分類し、該分類された結果に基づいて欠陥に関する特徴量を抽出し、該抽出された欠陥に関する特徴量をフィードバックして前記被検査物を検査することを特徴とする検査方法。
IPC (3):
H01L 21/66 ,  G01B 11/24 ,  G01R 31/26
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (20)
  • パターン検査方法及び装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-000585   Applicant:株式会社日立製作所
  • 特開平3-085743
  • 特開平3-085743
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