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J-GLOBAL ID：200903061965238306

水素・電気エネルギ発生システム

Inventor：
今崎 一夫

About 今崎 一夫


Applicant, Patent owner：
財団法人レーザー技術総合研究所

About 財団法人レーザー技術総合研究所


Agent (1)： 鎌田 文二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001048647
Publication number (International publication number)：2002255501
Application date： Feb. 23, 2001
Publication date： Sep. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体電極を用いて水素と電気エネルギを発生させる装置に対し、太陽光を直接照射するのではなく太陽光を十分吸収し得る手段で発生した光を半導体電極の吸収に適合する波長で、又はその波長に変換もしくはシフトして照射し得るようにした水素・電気エネルギ発生システムを得る。【解決手段】 水素・電気エネルギ発生システムを半導体電極13を有する水素・電気エネルギ発生ユニット10と、太陽光の光エネルギ密度の最大となる波長の光を吸収するレーザ発生装置20と、そのレーザの伝送経路に上記半導体電極が吸収する波長にレーザ光を変換又はシフトする波長可変手段30とを設けて形成し、半導体電極の吸収効率を格段に向上させたシステムである。
Claim (excerpt)：
透過窓から半導体電極へ光を照射して水分解し、これにより電気エネルギを発生させて負電極で水分解により水素を発生させる水素・電気エネルギ発生ユニットと、太陽光励起レーザ発生装置とを組合せ、レーザ発生装置を太陽光の光エネルギ密度のピーク波長又はその一定範囲内に最大吸収特性を有するレーザ媒質を備えたものとし、上記ユニットの半導体電極がレーザ発生装置で発生した波長のレーザ光を吸収する特性を有する材料を用いて構成されて成る水素・電気エネルギ発生システム。
IPC (4)：
C01B 3/04 ,  G02F 1/37 ,  H01S 3/00 ,  H01S 3/0915
FI (4)：
C01B 3/04 A ,  G02F 1/37 ,  H01S 3/00 A ,  H01S 3/091 J
F-Term (15)：
2K002AA04 ,  2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002HA20 ,  2K002HA24 ,  5F072AA04 ,  5F072AB02 ,  5F072AB13 ,  5F072AB20 ,  5F072KK12 ,  5F072KK30 ,  5F072PP10 ,  5F072QQ02 ,  5F072QQ07 ,  5F072YY20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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