レーザープラズマX線源用標的

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993315446
Publication number (International publication number)：1995167998
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】発生するX線が短波長域から長波長域まで広範囲に渡って連続的であり、またX線強度の波長依存性が小さくて連続スペクトルに近く、さらに長時間連続使用できるレーザープラズマX線源用標的を提供すること。【構成】レーザーを照射すると、プラズマを発生してX線を放出するレーザープラズマX線源用標的において、前記標的は、巻き取り可能な基板201 上に、原子量150以上の元素からなる材料202 を真空薄膜形成法により層状に形成してなることを特徴とするレーザープラズマX線源用標的。

Claim (excerpt)：

レーザーを照射すると、プラズマを発生してX線を放出するレーザープラズマX線源用標的において、前記標的は、巻き取り可能な基板上に、原子量150以上の元素からなる材料を真空薄膜形成法により層状に形成してなることを特徴とするレーザープラズマX線源用標的。

IPC (4)：

G21K 5/08 , H01L 21/027 , H01S 3/00 , H05G 2/00

FI (2)：

H01L 21/30 531 A , H05G 1/00 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

レーザプラズマX線源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-092829 Applicant：株式会社ニコン
特開昭60-020434
特開昭61-143929

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