スーパールミネッセントダイオードおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：柳田征史 , 佐久間剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006174999
Publication number (International publication number)：2007184526
Application date： Jun. 26, 2006
Publication date： Jul. 19, 2007
Summary：

【課題】中心波長0.95μm以上かつ1.2μm以下で、高出力で、歪みのないビーム断面形状を有するスーパールミネッセント光を射出可能で、かつ素子寿命が長いスーパールミネッセントダイオードを提供する。【解決手段】スーパールミネッセントダイオード11は、n型GaAs基板に形成され、0.95μm以上かつ1.2μm以下の中心波長で発光するInGaAs活性層105を有する光導波路12と、光導波路部12の後出射端面側に配置され、活性層材料よりもエネルギーギャップが大きくかつ屈折率が小さく、GaAs基板と格子整合するp型GaAsから形成されたウインドウ領域層111を有するウインドウ部13とから構成される。これにより、劣化のない0.95μm以上かつ1.2μm以下の中心波長で発光するInGaAs活性層105と良好な結晶膜質を有するp型GaAsウインドウ領域層111が得られる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の導電性を有するGaAs基板に形成され、0.95μm以上かつ1.2μm以下の中心波長で発光する、InGaAs活性層またはGaInNAs活性層からなる光導波路と、該光導波路の後出射端面側に配置され、前記活性層よりもエネルギーギャップが大きくかつ屈折率が小さく、前記第1の導電性とは逆の第2の導電性を有し、格子定数がGaAsの格子定数と±0.1%範囲内で格子整合するAlを含まない2元または3元の半導体材料からなるウインドウ領域層とを有することを特徴とするスーパールミネッセントダイオード。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 A

F-Term (6)：

5F041AA44 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA65 , 5F041FF16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-040911 Applicant：松下電器産業株式会社

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