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J-GLOBAL ID:200903062044873185

導電性膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006054336
Publication number (International publication number):2007234388
Application date: Mar. 01, 2006
Publication date: Sep. 13, 2007
Summary:
【課題】 基板上における原料溶液の液滴の化学反応の進行を十分なものとして均質な膜質で低抵抗な導電性膜を形成することができ、また基板の面内の温度分布を抑えて導電性膜の膜質にバラツキが生じるのを防ぐことができる導電性膜の形成方法を提供すること。【解決手段】 導電性膜の形成方法は、加熱された基板3の上面に原料溶液の微粒子をスプレーすることにより基板3の上面に導電性膜を形成するスプレー熱分解法による導電性膜の形成方法において、スプレーされた原料溶液の微粒子が基板3の上面の近傍で原料溶液の微粒子の粒径分布を5〜50μmかつ平均粒径を10〜30μmとする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
加熱された基板の上面に原料溶液の微粒子をスプレーすることにより前記基板の上面に導電性膜を形成するスプレー熱分解法による導電性膜の形成方法において、前記基板の上面の近傍で前記原料溶液の微粒子の粒径分布を5〜50μmかつ平均粒径を10〜30μmとすることを特徴とする導電性膜の形成方法。
IPC (5):
H01B 13/00 ,  H01L 31/04 ,  C23C 18/12 ,  C23C 18/04 ,  H01L 21/285
FI (5):
H01B13/00 503Z ,  H01L31/04 H ,  C23C18/12 ,  C23C18/04 ,  H01L21/285 Z
F-Term (23):
4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA05 ,  4K022AA43 ,  4K022BA10 ,  4K022BA15 ,  4K022BA21 ,  4K022BA33 ,  4K022CA12 ,  4K022DA06 ,  4K022DB01 ,  4K022DB19 ,  4K022DB24 ,  4M104BB36 ,  4M104DD31 ,  4M104GG05 ,  5F051AA02 ,  5F051CB13 ,  5F051DA03 ,  5F051FA02 ,  5G323BA03 ,  5G323BB02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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