半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003203065
Publication number (International publication number)：2005050859
Application date： Jul. 29, 2003
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：

【課題】銅の界面拡散を抑制して、銅配線の信頼度向上を確実に達成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】酸化シリコン膜20に配線溝を形成する。そして、この配線溝にタンタル/窒化タンタル膜22を形成した後、配線溝を埋め込むように銅膜24を形成する。続いて、CMP法によって、タンタル/窒化タンタル膜22および銅膜24を研磨して配線25を形成する。次に、酸化シリコン膜20および銅膜24上にアルミニウム膜を形成した後、熱処理を施すことにより、銅膜24とアルミニウム膜を反応させ、銅膜24とアルミニウム膜の間に合金膜27を形成する。続いて、合金膜27とアルミニウム膜のエッチング速度の差を利用して、未反応のアルミニウム膜だけをエッチングにより除去する。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板上に第1絶縁膜を形成する工程と、 (b)前記第1絶縁膜に第1配線開口部を形成する工程と、 (c)前記第1配線開口部内を埋め込むように、銅を主成分とする第1導体膜を形成する工程と、 (d)前記第1配線開口部内に埋め込まれた前記第1導体膜を残し、それ以外の前記第1導体膜を除去する工程と、 (e)前記第1絶縁膜上および前記第1導体膜上に第2導体膜を形成する工程と、 (f)熱処理を施すことにより、前記第1導体膜と前記第2導体膜を反応させて、前記第1導体膜と前記第2導体膜の間に、前記第2導体膜よりエッチング速度の小さい第1合金膜を形成する工程と、 (g)前記第2導体膜をエッチングにより除去して、前記第1絶縁膜および前記第1合金膜を露出する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/768

FI (4)：

H01L21/88 M , H01L21/28 301S , H01L21/90 A , H01L21/90 C

F-Term (83)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB17 , 4M104BB20 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F033HH04 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH26 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK26 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033LL02 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM07 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ80 , 5F033QQ85 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033SS11 , 5F033TT01 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX19 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置用配線およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-163282 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置の配線構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-289714 Applicant：日本電信電話株式会社
集積回路構造の銅金属被覆上の一以上の低比誘電率絶縁層に形成される開口部のためのプラズマ洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-078991 Applicant：エルエスアイロジックコーポレーション

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