集積回路構造の銅金属被覆上の一以上の低比誘電率絶縁層に形成される開口部のためのプラズマ洗浄方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000078991
Publication number (International publication number)：2000332112
Application date： Mar. 21, 2000
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】集積回路構造の銅金属相互接続層上の低比誘電率絶縁材料の一以上の層において形成される一以上の開口部からエッチング残留物を除去するための方法を提供する。【解決手段】本方法は、異方性水素プラズマを提供して、プラズマ中のイオンと、露出した銅表面上の酸化銅を含む一以上の開口部の底部におけるエッチング残留物との間に化学反応を起こさせ、それによって、銅表面の露出した部分を洗浄して、開口部の底部で銅をスパッタリングすることなくエッチング残留物を除去することを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成される集積回路構造の銅金属相互接続層上の低比誘電率絶縁材料の一以上の層において形成される一以上の開口部からエッチング残留物を除去するための、前記一以上の開口部の底部で前記銅相互接続層の表面の露出した部分を洗浄することを含む方法であって、前記方法は、プラズマを提供し、それによって前記エッチング残留物を除去し、前記低比誘電率絶縁材料の前記一以上の層において形成される前記一以上の開口部の側壁に銅を堆積させることなく前記銅表面の前記露出した部分を洗浄する、前記方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 645 , H01L 21/3205

FI (5)：

H01L 21/90 A , H01L 21/304 645 C , H01L 21/302 N , H01L 21/88 M , H01L 21/90 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

相互接続網の製造における酸化金属面の清浄処理方法及び同接続用ウエハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-178978 Applicant：フランセテレコム
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