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J-GLOBAL ID:200903062068045836

透明導電性基材とその製造方法およびこの基材が適用された表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上田 章三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998287271
Publication number (International publication number):1999203943
Application date: Sep. 24, 1998
Publication date: Jul. 30, 1999
Summary:
【要約】【課題】 耐候性、導電性等に優れしかも製造コストの低減が図れる透明導電性基材とその製造方法を提供し合わせてこの透明導電性基材が適用された表示装置を提供すること。【解決手段】 この透明導電性基材は、透明基板およびこの透明基板上に順次形成された透明導電層と透明コート層とで構成された透明2層膜を備える透明導電性基材を前提とし、透明導電層が、表面に金若しくは白金単体または金と白金の複合体をコーティングした平均粒径1〜100nmの貴金属コート銀微粒子とバインダーマトリックスとを主成分としていることを特徴とする。そして、この透明導電性基材は、従来の透明導電性基材に較べ優れた反射防止効果と透過光線プロファイルを有し、かつ良好な耐候性と導電性を有している。また、この透明導電性基材が適用された表示装置は表示画面の表面反射が抑制されかつ高い電界シールド効果を具備している。
Claim (excerpt):
透明基板、および、この透明基板上に順次形成された透明導電層と透明コート層とで構成された透明2層膜を備える透明導電性基材において、上記透明導電層が、銀微粒子の表面に金若しくは白金単体または金と白金の複合体がコーティングされた平均粒径1〜100nmの貴金属コート銀微粒子とバインダーマトリックスを主成分としていることを特徴とする透明導電性基材。
IPC (3):
H01B 5/14 ,  G09F 9/30 370 ,  H01B 13/00 503
FI (3):
H01B 5/14 A ,  G09F 9/30 370 Z ,  H01B 13/00 503 B
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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