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J-GLOBAL ID：200903062068113734

溶融体を下回る温度で調製した残留フリーラジカルが減少した高弾性率架橋ポリエチレン

Inventor：
オルフン、ムラトグル

About オルフン、ムラトグル

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スティーブン、エイチ.スピーゲルバーグ

About スティーブン、エイチ.スピーゲルバーグ

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ガレス、エイチ.マッキンレイ

About ガレス、エイチ.マッキンレイ


Applicant, Patent owner：
マサチューセッツ、ゼネラル、ホスピタル

About マサチューセッツ、ゼネラル、ホスピタル


Agent (4)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003559366
Publication number (International publication number)：2005514496
Application date： Sep. 24, 2002
Publication date： May. 19, 2005
Summary：
本発明は、フリーラジカルが減少し、好ましくは残留フリーラジカルを実質的に含まない放射線照射架橋ポリエチレンを提供する。ポリエチレンを融点を下回る高温にて増感環境と接触させ、残留フリーラジカルの濃度を検出不可能なレベルまで減少させることによる放射線照射架橋ポリエチレンの製造方法が開示される。また、ポリエチレンをポリエチレンの融点を下回る温度で、所望により増感環境にて機械的に変形することによるフリーラジカル含量の減少した、好ましくは、残留フリーラジカルを実質的に含まない放射線照射架橋ポリエチレン組成物の製造方法も、本明細書に開示される。
Claim (excerpt)：
a) ポリエチレンの融点を下回る温度にて放射線照射し、かつ、 b) 放射線照射ポリエチレンの融点を下回る温度にて該ポリエチレンを機械的に変形することによって、残留フリーラジカルの濃度を減少させること を含んでなる方法によって製造される、放射線照射架橋ポリエチレン組成物。
IPC (3)：
C08J3/28 ,  A61F2/38 ,  C08J7/00
FI (3)：
C08J3/28 ,  A61F2/38 ,  C08J7/00 305
F-Term (18)：
4C097AA07 ,  4C097BB01 ,  4C097DD02 ,  4C097EE02 ,  4F070AA13 ,  4F070HA03 ,  4F070HA08 ,  4F070HB02 ,  4F070HB04 ,  4F070HB08 ,  4F073AA05 ,  4F073BA07 ,  4F073BB02 ,  4F073BB06 ,  4F073CA41 ,  4F073CA42 ,  4F073GA01 ,  4F073GA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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