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J-GLOBAL ID：200903062079939472

微細加工薄膜水素ガスセンサーおよびその製造方法および使用方法

Inventor：
ディメオ,フランク,ジュニア.

About ディメオ,フランク,ジュニア.

, 
バンダリ,ガウタム

About バンダリ,ガウタム


Applicant, Patent owner：
アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

About アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド


Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000595142
Publication number (International publication number)：2002535651
Application date： Jan. 12, 2000
Publication date： Oct. 22, 2002
Summary：
【要約】薄膜センサー素子を備える水素センサーが、例えば、有機金属化学蒸着(MOCVD)または物理的蒸着(PVD)によって、マイクロホットプレート構造体上に形成される。前記薄膜センサー素子は、水素と可逆的に相互作用して光透過率、電導度、電気抵抗、静電容量、磁気抵抗、光導電性など、水素の非存在下の膜の応答特性に対して、相応して変化した応答特性を提供する水素相互作用金属膜の膜を備える。前記水素相互作用金属膜は、前記水素相互作用膜を非水素種との有害な相互作用から保護するために薄膜水素透過遮断層でオーバーコートされてもよい。本発明の水素センサーを、水素の侵入または発生しやすい環境中の水素の検出のために有効に使用することができ、ハンドヘルドの装置として便利に配置することができる。
Claim (excerpt)：
水素相互作用薄膜センサー素子をマイクロホットプレート構造体上に含む、水素センサー。
IPC (4)：
G01N 27/12 ,  G01N 21/75 ,  G01N 27/04 ,  G01N 27/22
FI (6)：
G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 A ,  G01N 27/12 C ,  G01N 21/75 Z ,  G01N 27/04 E ,  G01N 27/22 A
F-Term (48)：
2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BE03 ,  2G046BF01 ,  2G046CA09 ,  2G046DB05 ,  2G046EA01 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA12 ,  2G046EB01 ,  2G046FB00 ,  2G046FE00 ,  2G046FE02 ,  2G046FE09 ,  2G046FE16 ,  2G046FE18 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G054AA01 ,  2G054BA01 ,  2G054CA04 ,  2G054EA04 ,  2G054FA27 ,  2G054FA37 ,  2G054GB04 ,  2G054GB10 ,  2G054JA00 ,  2G060AA01 ,  2G060AB03 ,  2G060AE19 ,  2G060AF08 ,  2G060AF10 ,  2G060BA09 ,  2G060BB09 ,  2G060HA01 ,  2G060HB06 ,  2G060HC13 ,  2G060HC19 ,  2G060HC21 ,  2G060HD00 ,  2G060HD01 ,  2G060HD02 ,  2G060HE02 ,  2G060JA01 ,  2G060KA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-204042
  • 水素ガスセンサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-292656   Applicant：富士電機株式会社
  • 水素ガス検出器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-058853   Applicant：ソニー株式会社
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