薄膜を成長させるための方法と装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部正夫 (外11名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996517343
Publication number (International publication number)：1997508888
Application date： Nov. 28, 1995
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】本発明は基板の土に薄膜を成長させるための方法と装置に関する。本方法においては反応空間(1)の中に置かれた基板が薄膜を成長させる目的のため少なくとも2種の気相反応体との交互に繰り返される表面反応にかけられる。それら反応体は繰り返しかつ交互に各反応体別々にそれ自身の供給源から反応空間(1)へ供給され、そして気相反応体は基板土に固相薄膜化合物を形成する目的で基板の表面と反応させられる。気体反応生成物と場合によっては存在する過剰の反応体は気相形態で反応空間から除去される。本発明によれば、反応空間を通るガス流は基板の後のガス流路において制限され、これによって、反応空間内のガス流のコンダクタンスが基板におけるガス流の横断方向において基板の後のコンダクタンスよりも大きくなる。本発明を実施するための装置は垂直または水平に積み重ねられた複数の平面エレメント(10)を含み、それらのエレメントのうちの少なくともある数のエレメントは互いに同じものでありそしてそれらエレメントの中には反応チャンバー(13)およびガス流入路と流出路を形成するためのくぼみ/開口部(7;4)が加工されている。

Claim (excerpt)：

基板の上に薄膜を成長させる方法であって、その方法においては反応空間(1;21)の中に置かれた基板が薄膜を成長させる目的のため少なくとも2種の気相反応体との交互に繰り返される表面反応にかけられ、 - 気相パルスの形で該複数の反応体を繰り返し、かつ交互に各反応体別々にそれ自身の供給源から該反応空間(1;21)へ供給する、 - 該気相反応体を該基板上に固相薄膜化合物を形成する目的で該基板(12;37)の表面と反応させる、そして - 気体反応生成物と場合によっては存在する過剰の気相の反応体を該反応空間から除去する、工程を含む方法において、 - 該反応空間を通るガス流がガス流通路上基板の後の地点(14;39)において制限されることを特徴とする方法。

IPC (5)：

C30B 25/02 , C23C 16/44 , C23C 16/52 , C30B 25/14 , C30B 35/00

FI (5)：

C30B 25/02 Z , C23C 16/44 D , C23C 16/52 , C30B 25/14 , C30B 35/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開昭55-130896
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-239719 Applicant：大同ほくさん株式会社, 株式会社日立製作所
特開平2-074029

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Cited by examiner (6)

特開昭55-130896
特開昭55-130896
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-239719 Applicant：大同ほくさん株式会社, 株式会社日立製作所

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