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J-GLOBAL ID：200903062110487461

ダイヤモンド電界効果トランジスタ

Inventor： 宮田 浩一 ,  斉藤 公続 ,  デービッド・レイン・ドレイフェス ,  ブライアン・ライズ・ストーナー
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所 ,  コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993315608
Publication number (International publication number)：1995050419
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 安価に大量の電気的特性が優れたダイヤモンド電界効果トランジスタを提供する。【構成】 動作層と、ゲートと、ソース及びドレインとを有する電界効果トランジスタにおいて、前記動作層が、気相合成によって形成されたダイヤモンド薄膜であって、その薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)又は(111)結晶面から構成されており、隣接する(100)又は(111)結晶面の結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦5°、|△β|≦5°、|△γ|≦5°を満足する高配向性ダイヤモンド薄膜からなる半導体層により構成されている。

Claim (excerpt)：

動作層と、ゲートと、ソース及びドレインとを有する電界効果トランジスタにおいて、前記動作層が、気相合成によって形成されたダイヤモンド薄膜であって、その薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)結晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面の結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦5°、|△β|≦5°、|△γ|≦5°を満足する高配向性ダイヤモンド薄膜からなる半導体層により構成されていることを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  C30B 29/04